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专利状态

微沟槽IGBT

有效

专利申请进度

申请

2021-06-24

授权

2022-02-01

预估到期

2031-06-24

专利基础信息

申请号	CN202121414363.1	申请日	2021-06-24
授权公布号	CN215731728U	授权公告日	2022-02-01
分类号	H01L29/739;H01L21/331
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2022-02-01

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种微沟槽IGBT，所述微沟槽IGBT包括：半导体衬底和IGBT元胞，IGBT元胞包括：多个真栅极单元，相邻真栅极单元之间设有数量不等的假沟槽单元和/或假栅极单元，且假沟槽单元和/或假栅极单元对称设置；相连沟槽之间中间通过注入推结形成PW导电层覆盖到沟槽底部，且在真栅极单元两侧通过注入推结在PW导电层下部形成JFET层。本实用新型将PW导电层覆盖到沟槽底部同时在真栅极单元之两侧引入JFET，使得PW局部维持原来的深度且不改变沟道长度，可以在优化IGBT静态特性的同时通过虚拟栅极降低米勒电容，增大输入电容和米勒电容的比例，进一步增强IGBT开通关断过程可控性。

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