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专利状态
新型IGBT结构
有效
专利申请进度
申请
2020-06-24
授权
2021-01-12
预估到期
2030-06-24
专利基础信息
申请号
CN202021192924.3
申请日
2020-06-24
授权公布号
CN212342632U
授权公告日
2021-01-12
分类号
H01L29/06
分类
基本电气元件;
申请人名称
江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址
江苏省常州市新北区华山中路18号
专利法律状态
2021-01-12
授权
状态信息
授权
摘要
本实用新型提供了一种新型IGBT结构,包括半导体衬底和至少一个元胞结构,元胞结构包括:设置于半导体衬底一侧的漂移区;设置于漂移区一侧的第一沟槽栅单元和第二沟槽栅单元,第一沟槽栅单元与第二沟槽栅单元上设有多个连接层,多个连接层间隔排布于第一沟槽栅单元与第二沟槽栅单元上;其中,第一沟槽栅单元和第二沟槽栅单元相邻侧之间设有第一阱区,第一沟槽栅单元远离第二沟槽栅单元侧设有第二阱区和第一源区,第二沟槽栅极单元远离第一沟槽栅单元侧设有第三阱区和第二源区。本实用新型能够有效地降低其结构带来的栅极电容的上升,从而能够在保持较低导通压降的同时,有效地降低其开关损耗,并能够优化高频特性,拓宽应用范围。
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