沟槽式快恢复二极管及其制备方法

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专利状态

沟槽式快恢复二极管及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2014-12-18

申请公布

2016-07-13

授权

2019-03-12

预估到期

2034-12-18

专利基础信息

申请号	CN201410790149.4	申请日	2014-12-18
申请公布号	CN105762198A	申请公布日	2016-07-13
授权公布号	CN105762198B	授权公告日	2019-03-12
分类号	H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2019-03-12

授权

状态信息

授权
2016-08-10

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/861申请日:20141218
2016-07-13

公布

状态信息

公开

摘要

本发明涉及一种沟槽式快恢复二极管，在场氧化层的有源区窗口内间隔设有三个以上沟槽氧化层和位于两沟槽氧化层之间的沟槽外注入区，沟槽氧化层内凹的空腔内填有沟槽多晶硅，各沟槽氧化层的底部与沟槽P+型杂质层相连，沟槽外注入区具有依次相连的N型杂质电荷积累层、沟槽外P型杂质层和沟槽外P+杂质层，N型杂质电荷积累层不超出沟槽氧化层的底部；场氧化层有源区窗口外的终端区内具有终端P型杂质层，场氧化层的上部具有终端多晶硅场板层，金属阳极层与终端多晶硅场板层、沟槽氧化层、沟槽氧化层内的沟槽多晶硅以及沟槽外P+杂质层连接。本发明有正向压降低、恢复时间短、UIS能力高、软恢复特性好的特点，便于工业化生产。

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