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专利状态
功率器件IGBT
有效
专利申请进度
申请
2020-07-28
授权
2021-03-23
预估到期
2030-07-28
专利基础信息
申请号 CN202021527269.2 申请日 2020-07-28
授权公布号 CN212783458U 授权公告日 2021-03-23
分类号 H01L29/08;H01L29/739
分类 基本电气元件;
申请人名称 江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址 江苏省常州市新北区华山中路18号
专利法律状态
  • 2021-03-23
    授权
    状态信息
    授权
摘要
本实用新型提供一种功率器件IGBT,包括:衬底;位于衬底的第一表面的有源区;位于衬底的第一表面和第二表面之间的漂移区;位于衬底的第二表面的集电区,其中,漂移区连接有源区和集电区;集电区包括交替划分的第一区域和第二区域,其中,第一区域的面积大于第二区域的面积,第一区域和第二区域的导电类型不同。本实用新型的功率器件IGBT,能够在器件正向导通时,提前产生0.7V的压降,提前促使P+N结的正向导通,使第一区域空穴注入漂移区,形成电导调制,降低器件的压降;在器件关断期间,通过第二区域通道可以提供大量电子进入漂移区,加大漂移区非平衡载流子的复合,减少IGBT器件关断拖尾电流,进而减小器件的关断损耗。