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专利状态
一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构
有效
专利申请进度
申请
2017-12-22
申请公布
2018-04-20
授权
2024-03-22
预估到期
2037-12-22
专利基础信息
申请号
CN201711408786.0
申请日
2017-12-22
申请公布号
CN107942615A
申请公布日
2018-04-20
授权公布号
CN107942615B
授权公告日
2024-03-22
分类号
G03F1/50;G03F1/60
分类
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术〔4〕;
申请人名称
江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址
江苏省常州市新北区华山中路18号
专利法律状态
2024-03-22
授权
状态信息
授权
2018-05-15
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):G03F1/50;申请日:20171222
2018-04-20
公布
状态信息
公布
摘要
本发明属于电动汽车晶体管技术领域,尤其涉及一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构。其包括IGBT或MOSFET版,所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽,所述同一列沟槽重复断开,所述同一列沟槽断开间距0.6um,所述同一列沟槽断开间距的中间设置发射极接触孔,所述发射极接触孔与相邻所述沟槽之间的间距0.2um,相邻两列所述沟槽错位设置并横向连接,相邻两列所述沟槽之间的间距为0.2um。本发明通过沟槽以及发射极接触孔的版图设计使得元胞尺寸缩小,沟道密度增加,从而电流密度大大提高,IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小,从而成本降低,同时整个设计的余量也会更加充分。
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