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专利状态
功率模块的封装结构
有效
专利申请进度
申请
2020-08-14
授权
2021-04-16
预估到期
2030-08-14
专利基础信息
申请号
CN202021707905.X
申请日
2020-08-14
授权公布号
CN212991094U
授权公告日
2021-04-16
分类号
H01L23/492;H01L25/07;H01L23/367;H01L23/495
分类
基本电气元件;
申请人名称
杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址
浙江省杭州市黄姑山路4号
专利法律状态
2021-04-16
授权
状态信息
授权
摘要
本实用新型涉及一种功率模块的封装结构,包括:直接铜键合DCB衬底,直接铜键合DCB衬底具有第一侧边且包括多个基岛;分别设置在多个基岛上的多个功率器件;以及靠近第一侧边的多个引脚;其中,至少部分多个引脚焊接在直接铜键合DCB衬底上。
更多专利
1
功率模块
2
超声波指纹传感器及其制造方法
3
插入检测电路及快充设备
4
触发单元的设计方法
5
反激式变换器及其控制电路
6
功率模块
7
驱动电路
8
功率模块的驱动端子
9
发光二极管
10
LLC谐振变换器及其控制电路
11
功率模块的封装结构
12
双向功率器件及其制造方法
13
MEMS扫描仪
14
连接端子
15
双向功率器件的制造方法
16
插接端子
17
IGBT的驱动电路和驱动方法
18
Gm-C滤波装置及其校准电路
19
半导体晶体管外延结构、其制备方法及半导体晶体管
20
三极管及其制造方法
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