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专利状态
功率模块的封装结构
有效
专利申请进度
申请
2020-08-14
授权
2021-04-16
预估到期
2030-08-14
专利基础信息
申请号 CN202021707905.X 申请日 2020-08-14
授权公布号 CN212991094U 授权公告日 2021-04-16
分类号 H01L23/492;H01L25/07;H01L23/367;H01L23/495
分类 基本电气元件;
申请人名称 杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址 浙江省杭州市黄姑山路4号
专利法律状态
  • 2021-04-16
    授权
    状态信息
    授权
摘要
本实用新型涉及一种功率模块的封装结构,包括:直接铜键合DCB衬底,直接铜键合DCB衬底具有第一侧边且包括多个基岛;分别设置在多个基岛上的多个功率器件;以及靠近第一侧边的多个引脚;其中,至少部分多个引脚焊接在直接铜键合DCB衬底上。