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专利状态

半导体器件

有效

专利申请进度

申请

2020-04-29

授权

2021-03-09

预估到期

2030-04-29

专利基础信息

申请号	CN202020692358.6	申请日	2020-04-29
授权公布号	CN212676276U	授权公告日	2021-03-09
分类号	H01L21/331;H01L29/06;H01L29/735
分类	基本电气元件;
申请人名称	杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市黄姑山路4号

专利法律状态

2021-03-09

授权

状态信息

授权

摘要

本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；外延层，位于衬底上；绝缘层，位于外延层上，具有多个接触孔；隔离区，位于外延层中，从外延层的上表面延伸至衬底的上表面；第一轻掺杂区，位于外延层中并且从隔离区内部横向延伸至外延层中，第一轻掺杂区超出隔离区第一预定长度；以及第一导电层，位于绝缘层上，并且位于第一轻掺杂区上方，横向超出第一轻掺杂区第三预定长度，其中，第一引线经由接触孔与第一轻掺杂区相连。该半导体器件通过设置第一轻掺杂区和第一导电层，减小了耗尽线的弯曲程度，进一步减小了耗尽线终端的弯曲程度，延长了耗尽线的长度，从而减小了场强，进而达到了提高半导体器件耐压程度的目的。

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