功率半导体器件及其制造方法

热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容

热门行业

教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴

返回上一页

专利状态

功率半导体器件及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2021-12-16

申请公布

2022-04-22

授权

2024-02-23

预估到期

2041-12-16

专利基础信息

申请号	CN202111546517.7	申请日	2021-12-16
申请公布号	CN114388618A	申请公布日	2022-04-22
授权公布号	CN114388618B	授权公告日	2024-02-23
分类号	H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
分类	基本电气元件;
申请人名称	杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市黄姑山路4号

专利法律状态

2024-02-23

授权

状态信息

授权
2022-05-10

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L29/78；申请日:20211216
2022-04-22

公布

状态信息

公布

摘要

公开了一种功率半导体器件及其制造方法，功率半导体器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的外延层；位于外延层中的第一介质槽和第二介质槽，第一介质槽和第二介质槽内填充有第一介质层；位于第一介质槽内的栅氧化层、控制栅和屏蔽栅；位于第一介质槽和第二介质槽两侧的源区和漏区；其中，控制栅由外延层表面延伸至第一介质槽上部，屏蔽栅由外延层表面延伸至第一介质槽下部，栅氧化层将控制栅和屏蔽栅、控制栅和外延层隔开。本发明采用两个介质槽的结构使漂移区的形貌不再是直线，而形成折线（V型或凹型）形貌的漂移区，可以增加漂移区的有效长度，在同样的击穿电压下实现更小的特征导通电阻。

更多专利

全国服务热线：

在线客服

1211389656 咨询

商务合作

85926368 咨询

媒体合作

921888730 咨询

在线客服
客服微信号

品牌网官方客服微信

打开微信扫一扫

客服微信
商务合作微信

商务合作详谈

打开微信扫一扫

商务合作
回到顶部

在线客服

商务合作

媒体合作

客服微信号

商务合作微信