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专利状态

TSV封装结构及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2017-12-29

申请公布

2019-07-09

授权

2021-10-19

预估到期

2037-12-29

专利基础信息

申请号	CN201711489572.0	申请日	2017-12-29
申请公布号	CN109994422A	申请公布日	2019-07-09
授权公布号	CN109994422B	授权公告日	2021-10-19
分类号	H01L21/768;H01L23/31;H01L23/48
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏长电科技股份有限公司
申请人地址	江苏省无锡市江阴滨江中路275号

专利法律状态

2021-10-19

授权

状态信息

授权
2019-08-02

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/768；申请日:20171229
2019-07-09

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种TSV封装结构，包括TSV晶圆，TSV晶圆包括若干贯穿蚀刻的第一通孔，第一通孔的内壁涂布有导电材料，以使TSV晶圆的正面与背面电性导通，TSV晶圆的背面和侧面选择性铺设有连接线路，TSV封装结构还包括装配至所述TSV晶圆的背面的增强结构，增强结构包括背离所述TSV晶圆的背面一侧设置的第一电连接端以及与连接线路相对接且电性导通的第二电连接端，其中，第一电连接端与第二电连接端电性导通；本发明提出的TSV封装结构，通过将增强结构装配至TSV晶圆，保证了低CTE和高强度、高模量的同时也保证了封装的较高的强度和较低的翘曲。同时本发明提出的TSV封装结构制备方法能同时满足降低TSV成本和保证封装强度与翘曲的要求。

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