半导体封装件的溅镀方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体封装件的溅镀方法

有效

专利申请进度

申请

2019-01-15

申请公布

2019-05-17

授权

2020-08-04

预估到期

2039-01-15

专利基础信息

申请号	CN201910036697.0	申请日	2019-01-15
申请公布号	CN109767993A	申请公布日	2019-05-17
授权公布号	CN109767993B	授权公告日	2020-08-04
分类号	H01L21/56
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏长电科技股份有限公司
申请人地址	江苏省无锡市江阴市江阴高新区长山路78号

专利法律状态

2020-08-04

授权

状态信息

授权
2019-06-11

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/56
2019-05-17

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种半导体封装件的溅镀方法，包括：S1、提供半成型封装体及UV膜，半成型封装体包括：基体及设置于基体一侧的导电端子；UV膜至少包括：透光的基底层以及连接于基底层的粘结层；S2、结合半成型封装体和UV膜，粘结层完全包覆导电端子；S3、切割半成型封装体而形成若干单体；S4、对UV膜做扩片处理，以增大相邻单体之间的间距；S5、在单体的至少部分外表面溅镀金属层而形成半导体封装件；S6、将半导体封装件脱离UV膜。本发明的半导体封装件的溅镀方法采用UV膜辅助保护导电端子，以辅助完成对半成型封装体的溅镀，不仅满足了侧面溅镀的均匀性，同时使用UV膜直接做溅镀，减少了转移产品的步骤，节约成本，提升封装效率。

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