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专利状态
基于磁性存储器的内存计算电路
有效
专利申请进度
申请
2019-07-22
申请公布
2021-01-29
授权
2022-03-01
预估到期
2039-07-22
专利基础信息
申请号
CN201910662244.9
申请日
2019-07-22
申请公布号
CN112289351A
申请公布日
2021-01-29
授权公布号
CN112289351B
授权公告日
2022-03-01
分类号
G11C11/16
分类
信息存储;
申请人名称
中电海康集团有限公司
申请人地址
浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室
专利法律状态
2022-03-01
授权
状态信息
授权
2021-01-29
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供一种基于磁性存储器的内存计算电路,包括:磁性存储器阵列和多路读取电路,其中,所述磁性存储器阵列每一行的多个存储单元共用一条字线,每一列的多个存储单元共用一条源线,每一列或者每一行的多个存储单元共用一对互补位线,每个存储单元包括:一个MOS管和两个MTJ,所述MOS管用于控制两个所述MTJ的读写,所述MOS管的漏极与两个所述MTJ连接,两个所述MTJ的存储状态相反且两个所述MTJ为一组,用于记录一位数据,两个所述MTJ分别连接对应的互补位线中的其中一条位线;所述读取电路,用于读取共用一对互补位线的一列或者一行的其中一个或者多个存储单元的状态,以实现按位逻辑操作。本发明能够直接在存储器阵列上实现内存计算。
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