基于自旋轨道矩的MRAM存储单元及存储阵列

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专利状态

基于自旋轨道矩的MRAM存储单元及存储阵列

有效

专利申请进度

申请

2018-11-27

申请公布

2020-06-02

授权

2021-08-20

预估到期

2038-11-27

专利基础信息

申请号	CN201811424809.1	申请日	2018-11-27
申请公布号	CN111223506A	申请公布日	2020-06-02
授权公布号	CN111223506B	授权公告日	2021-08-20
分类号	G11C11/16;G11C11/15
分类	信息存储;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室

专利法律状态

2021-08-20

授权

状态信息

授权
2020-06-26

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效 IPC（主分类）:G11C11/16
2020-06-02

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种基于自旋轨道矩的MRAM存储单元及存储阵列。存储单元包括：自旋轨道矩提供线、磁隧道结、选择器以及晶体管，磁隧道结自由层一侧接触自旋轨道矩提供线，固定层一侧与选择器的一端连接，该连接端作为存储单元的第一引出端，选择器的另一端与自旋轨道矩提供线连接，连接点位于磁隧道结接触点的一侧；晶体管的漏极连接至自旋轨道矩提供线长度方向上的一端，且连接点位于磁隧道结接触点的另一侧，晶体管的源极作为存储单元的第二引出端，晶体管的栅极作为存储单元的第三引出端；其中，第一引出端用于连接位线，第二引出端用于连接源线，第三引出端用于连接字线。本发明能够简化存储单元结构，节省存储单元的面积。

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