一种基于STT-MRAM的固态存储器件随机访问性能提升方法

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专利状态

一种基于STT-MRAM的固态存储器件随机访问性能提升方法

有效

专利申请进度

申请

2019-05-30

申请公布

2019-09-24

授权

2022-11-11

预估到期

2039-05-30

专利基础信息

申请号	CN201910462788.0	申请日	2019-05-30
申请公布号	CN110275678A	申请公布日	2019-09-24
授权公布号	CN110275678B	授权公告日	2022-11-11
分类号	G06F3/06;G06F12/0802
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室

专利法律状态

2022-11-11

授权

状态信息

授权
2019-05-30

公布

状态信息

公布

摘要

本申请公开了一种基于STT‑MRAM的固态存储器件随机访问性能提升方法，所述固态存储器件包括磁性随机存储器STT‑MRAM和存储介质NAND flash。本申请利用STT‑MRAM的高速读写性能和掉电非易失性能，采用STT‑MRAM作为固态存储器件控制器内的高命中LBA数据缓存，简化高命中LBA的响应路径，增强系统的随机访问性能。且当发生GC时，利用STT‑MRAM中的LBA读写次数数据，将高命中LBA数据统一放入目的BLOCK中，以便STT‑MRAM缓冲区中的数据缺失或损坏时可将高命中LBA数据一次性读取至STT‑MRAM中缓冲，减少响应时间。

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