存储单元及其制备方法、存储器

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专利状态

存储单元及其制备方法、存储器

有效

专利申请进度

申请

2019-08-13

申请公布

2021-02-23

授权

2023-04-07

预估到期

2039-08-13

专利基础信息

申请号	CN201910745488.3	申请日	2019-08-13
申请公布号	CN112397638A	申请公布日	2021-02-23
授权公布号	CN112397638B	授权公告日	2023-04-07
分类号	H10N52/85;H10N50/10;H10N52/01
分类	基本电气元件;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室

专利法律状态

2023-04-07

授权

状态信息

授权
2021-02-23

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种存储单元及其制备方法、存储器。其中，该存储单元包括：自旋霍尔效应层，自旋霍尔效应层包括本体与凸起部，凸起部具有凸起连接面，本体具有本体连接面，凸起连接面与本体连接面连接；磁隧道结，设置在自旋霍尔效应层，磁隧道结包括自由层，自由层设置在自旋霍尔效应层表面上且至少覆盖部分凸起连接面；电极，设置在磁隧道结远离自旋霍尔效应层表面上，其中，凸起连接面与本体连接面的自由层磁化方向不相同，在本体连接面的自由层磁化方向上形成偏置磁场。本发明解决了相关技术中存储器需要外部磁场破坏空间反演对称性，才能实现磁矩翻转，操作复杂且功耗较大的技术问题。

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