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专利状态
存储单元与存储器
有效
专利申请进度
申请
2018-03-09
申请公布
2019-09-17
授权
2023-08-18
预估到期
2038-03-09
专利基础信息
申请号
CN201810196253.9
申请日
2018-03-09
申请公布号
CN110246961A
申请公布日
2019-09-17
授权公布号
CN110246961B
授权公告日
2023-08-18
分类号
H10N50/10;H10N50/85;H10B61/00
分类
基本电气元件;
申请人名称
中电海康集团有限公司
申请人地址
浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室
专利法律状态
2023-08-18
授权
状态信息
授权
2019-10-15
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L43/08;申请日:20180309
2019-09-17
公布
状态信息
公布
摘要
本申请提供了一种存储单元与存储器。该存储单元包括:由下至上依次叠置设置的第一电极、合成反铁磁结构、参考层、绝缘势垒层、自由层以及第二电极,参考层与自由层的磁化方向均与存储单元的厚度方向平行,合成反铁磁结构包括由下至上依次叠置设置的第一磁性层、间隔层以及第二磁性层,第一磁性层和第二磁性层通过间隔层发生反铁磁耦合,间隔层为二维材料层。该存储单元中,在第一电极与参考层之间设置合成反铁磁结构,该结构采用二维材料层作为间隔层,这样的间隔层使得两侧的磁性层磁矩因发生层间反铁磁交换作用而反平行排列。该合成反铁磁结构中间隔层两侧的磁性层无需是多个薄层,使得存储单元的制作工艺较简单且容易控制。
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