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专利状态

垂直磁化MTJ器件及STT-MRAM

有效

专利申请进度

申请

2017-06-14

申请公布

2018-12-25

授权

2021-04-13

预估到期

2037-06-14

专利基础信息

申请号	CN201710447813.9	申请日	2017-06-14
申请公布号	CN109087995A	申请公布日	2018-12-25
授权公布号	CN109087995B	授权公告日	2021-04-13
分类号	H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22
分类	基本电气元件;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311

专利法律状态

2021-04-13

授权

状态信息

授权
2021-04-02

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移；IPC(主分类):H01L 43/12；专利申请号:2017104478139；登记生效日:20210322；变更事项:申请人；变更前权利人:中电海康集团有限公司；变更后权利人:中电海康集团有限公司；变更事项:地址；变更前权利人:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室；变更后权利人:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311；变更事项:申请人；变更前权利人:；变更后权利人:浙江驰拓科技有限公司
2019-01-18

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L 43/12；专利申请号:2017104478139；申请日:20170614
2018-12-25

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供了一种垂直磁化MTJ器件及STT‑MRAM。该垂直磁化MTJ器件包括依次叠置设置的参考层、绝缘势垒层、自由层、增强层、去磁耦合层以及固定层，其中，参考层与固定层的磁化方向相反，增强层用于增强自由层的垂直磁各向异性，去磁耦合层用于隔离自由层与固定层。降低了临界写入电流，降低了STT‑MRAM芯片的能耗，同时也提高了数据的写入速率，并且，固定层可以抵消参考层作用在自由层上的散磁场，避免不同位元之间的相互干扰；另外，垂直磁化MTJ器件中的增强层可以增强自由层的磁各向异性，进而提高自由层的热稳定性。

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