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专利状态

集成电路的修调结构

有效

专利申请进度

申请

2020-01-16

授权

2020-09-22

预估到期

2030-01-16

专利基础信息

申请号	CN202020095518.9	申请日	2020-01-16
授权公布号	CN211555870U	授权公告日	2020-09-22
分类号	H01L23/525
分类	基本电气元件;
申请人名称	杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市黄姑山路4号

专利法律状态

2020-09-22

授权

状态信息

授权

摘要

本申请公开了一种集成电路的修调结构，该修调结构包括多个修调单元，每个修调单元包括：衬底；熔断结构，位于衬底上；钝化层，位于熔断结构上，且具有开口，开口将至少部分熔断结构暴露；保护层，位于钝化层上，且至少部分保护层与开口形成空腔；其中，至少部分熔断结构位于空腔内。该修调结构通过空腔为熔断结构提供了充足的容置空间，解决了在封装完成后，熔断结构熔断复连的问题。

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