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专利状态
功率半导体器件及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2020-11-24
申请公布
2021-03-30
授权
2023-03-17
预估到期
2040-11-24
专利基础信息
申请号 CN202011328449.2 申请日 2020-11-24
申请公布号 CN112582463A 申请公布日 2021-03-30
授权公布号 CN112582463B 授权公告日 2023-03-17
分类号 H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331
分类 基本电气元件;
申请人名称 杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址 浙江省杭州市黄姑山路4号
专利法律状态
  • 2023-03-17
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-03-30
    公布
    状态信息
    公布
摘要
公开了一种功率半导体器件及其制造方法,功率半导体器件的部分屏蔽导体与源极电极连接,屏蔽导体在与源极电极电连接的位置处,屏蔽导体从沟槽底部延伸至沟槽内两侧的栅极导体之间的位置,栅极导体和屏蔽导体之间由隔离层隔开,屏蔽导体与源极电极连接;部分屏蔽导体不与源极电极连接,屏蔽导体在不与源极电极电连接的位置处,屏蔽导体从沟槽底部延伸至沟槽上部两侧的栅极导体下方区域,减小了屏蔽导体的寄生电阻,使得寄生电阻下降几十倍。