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专利状态
一种半导体芯片的sip封装结构
有效
专利申请进度
申请
2019-12-27
授权
2020-07-03
预估到期
2029-12-27
专利基础信息
申请号 CN201922446603.5 申请日 2019-12-27
授权公布号 CN210926014U 授权公告日 2020-07-03
分类号 H01L25/16;H01L23/485;H01L23/31
分类 基本电气元件;
申请人名称 安捷利(番禺)电子实业有限公司
申请人地址 广东省广州市南沙区望江二街4号1201(A2)房
专利法律状态
  • 2020-07-03
    授权
    状态信息
    授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体芯片的sip封装结构,包括:第一铜箔;半导体芯片,通过导电胶贴装在第一铜箔上;介质层以及设置在介质层上的第二铜箔,层压在半导体芯片上以形成双面覆铜线路板;第一铜箔和第二铜箔上均设置有图形线路;设置在双面覆铜线路板上的镀铜孔,半导体芯片的电极通过镀铜孔电连接至图形线路;控制芯片,贴装在第二铜箔远离半导体芯片的一侧,控制芯片以金属键合的方式连接至第二铜箔上的图形线路;塑封层,设置在控制芯片上。本实用新型通过改变半导体芯片的封装方式为埋入式封装,从而将金属键合的导电方式变更成铜柱接触的导电方式,可以有效降低封装的内阻,并通过层压制作成SIP模组,从而实现阻值和空间的同时减小。