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专利状态
一种埋入式电容的制备方法
有效
专利申请进度
申请
2015-09-10
申请公布
2016-01-06
授权
2018-09-04
预估到期
2035-09-10
专利基础信息
申请号 CN201510574510.4 申请日 2015-09-10
申请公布号 CN105228344A 申请公布日 2016-01-06
授权公布号 CN105228344B 授权公告日 2018-09-04
分类号 H05K1/16
分类 其他类目不包含的电技术;
申请人名称 安捷利(番禺)电子实业有限公司
申请人地址 广东省广州市南沙区环市大道南63号
专利法律状态
  • 2018-09-04
    授权
    状态信息
    授权
  • 2016-02-03
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H05K1/16;申请日:20150910
  • 2016-01-06
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明涉及一种埋入式电容的制备方法,包括在铜箔片一侧涂布导电性树脂并烘干完全固化,在导电性树脂表面涂覆介电性树脂并预烘干至半固化状态,将两片铜箔片的介电性树脂表面相对贴合并压合、高温固化以获取双面覆铜叠层板,将双面覆铜叠层板通过贴干膜、曝光、显影、除铜层、除导电层以及剥膜处理以得到埋入式电容等步骤;铜箔片选用较为平整的压延铜箔或者低轮廓电解铜箔,其厚度为1/2oz或者1oz;使用辊压或者真空层压对介电性树脂表面进行压合;通过蚀刻以除去铜层,通过喷砂或激光深控切割以除去导电层;介电性树脂可二次涂覆。通过本发明所获得的埋入式电容的结构,保证在降低介电层厚度以增强电容密度的同时,有效保持介电层的力学性能。