MRAM存储器单元、阵列及存储器

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专利状态

MRAM存储器单元、阵列及存储器

有效

专利申请进度

申请

2018-06-28

申请公布

2020-01-07

授权

2021-09-21

预估到期

2038-06-28

专利基础信息

申请号	CN201810687747.7	申请日	2018-06-28
申请公布号	CN110660435A	申请公布日	2020-01-07
授权公布号	CN110660435B	授权公告日	2021-09-21
分类号	G11C16/06;G11C16/08;G11C16/24
分类	信息存储;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311

专利法律状态

2021-09-21

授权

状态信息

授权
2021-08-20

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移；IPC(主分类):G11C16/06；登记生效日:20210809；变更事项:申请人；变更前:中电海康集团有限公司；变更后:中电海康集团有限公司；变更事项:地址；变更前:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室；变更后:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311；变更事项:申请人；变更后:浙江驰拓科技有限公司
2020-02-04

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G11C16/06；申请日:20180628
2020-01-07

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种MRAM存储器单元、阵列及存储器，存储器单元包括：两个垂直堆叠的磁隧道结、选择器元件以及晶体管，其中，两个所述磁隧道结之间布置有隔离层，每个所述磁隧道结的参考层靠近所述隔离层布置，每个所述磁隧道结的自由层外侧各布置有一条自旋轨道矩提供线，所述选择器元件的两端通过金属连接层连接至两条所述自旋轨道矩提供线，所述晶体管的漏极与任意一条所述自旋轨道矩提供线的靠近所述选择器元件的一端连接；两条所述自旋轨道矩提供线的靠近所述磁隧道结的一端各自引出一个用于连接位线的端点，所述晶体管的栅极引出一个用于连接字线的端点，所述晶体管的源极引出一个用于连接源线的端点。本发明能够提高存储器的存储密度。

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