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专利状态
一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构
有效
专利申请进度
申请
2016-07-25
申请公布
2017-01-04
授权
2019-12-03
预估到期
2036-07-25
专利基础信息
申请号 CN201610598574.2 申请日 2016-07-25
申请公布号 CN106297871A 申请公布日 2017-01-04
授权公布号 CN106297871B 授权公告日 2019-12-03
分类号 G11C11/16
分类 信息存储;
申请人名称 中电海康集团有限公司
申请人地址 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311
专利法律状态
  • 2020-04-03
    专利申请权、专利权的转移
    状态信息
    专利权的转移;IPC(主分类):G11C11/16;登记生效日:20200313;变更事项:专利权人;变更前:中电海康集团有限公司;变更后:中电海康集团有限公司;变更事项:地址;变更前:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室;变更后:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311;变更事项:共同专利权人;变更后:浙江驰拓科技有限公司
  • 2019-12-03
    授权
    状态信息
    授权
  • 2017-11-03
    著录事项变更
    状态信息
    著录事项变更;IPC(主分类):G11C11/16;变更事项:申请人;变更前:中电海康集团有限公司;变更后:中电海康集团有限公司;变更事项:地址;变更前:310012 浙江省杭州市马塍路36号;变更后:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室
  • 2017-09-15
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):G11C11/16;申请日:20160725
  • 2017-01-04
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开了一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构,包括磁性隧道结,以及源线、位线和字线、第一开关管、第二开关管、控制单元和双稳态电路单元;其中,所述磁性隧道结的自由层与第一开关管的漏极相连,所述磁性隧道结的参考层与第二开关管的源极相连;所述第一开关管的源极接源线,所述第二开关管的漏极接位线;所述双稳态电路单元的第一端连接磁性隧道结自由层、控制单元的输入,第二端连接磁性隧道结的参考层;所述控制单元的输入端分别连接字线、源线或位线,以及所述双稳态电路单元的第一端,控制单元输出端接第一开关管和第二开关管的栅极。本发明写电路结构能够避免重复的写入动作,达到降低MRAM写功耗和芯片动态功耗的目的。