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专利状态

MRAM存储阵列

有效

专利申请进度

申请

2019-03-25

申请公布

2020-10-02

授权

2022-06-24

预估到期

2039-03-25

专利基础信息

申请号	CN201910229001.6	申请日	2019-03-25
申请公布号	CN111739567A	申请公布日	2020-10-02
授权公布号	CN111739567B	授权公告日	2022-06-24
分类号	G11C11/16;G11C5/02;G11C5/08
分类	信息存储;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室

专利法律状态

2022-06-24

授权

状态信息

授权
2020-10-30

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效 IPC（主分类）:G11C11/16
2020-10-02

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种MRAM存储阵列，包括：按矩形阵列形式排布的多个存储单元，所述存储单元包括MTJ单元，所述MTJ单元的磁化方向为沿MTJ薄膜生长方向，阵列中相邻两个所述存储单元中的MTJ单元的的顶部设有共用的磁性电极，阵列中全部磁性电极的排列方向相同，所述磁性电极用于为相邻两个所述存储单元中的MTJ单元提供一个磁矩以辅助所述MTJ单元的自由层实现翻转；其中，所述存储单元中的MTJ单元的截面形状为圆形形状，相邻两个所述存储单元共用的所述磁性电极的截面形状为具有长轴和短轴的几何形状。本发明能够提高存储阵列的密度。

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