沟槽填充工艺、半导体器件的制作方法与半导体器件

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专利状态

沟槽填充工艺、半导体器件的制作方法与半导体器件

有效

专利申请进度

申请

2018-10-31

申请公布

2020-05-08

授权

2022-09-09

预估到期

2038-10-31

专利基础信息

申请号	CN201811290161.3	申请日	2018-10-31
申请公布号	CN111128851A	申请公布日	2020-05-08
授权公布号	CN111128851B	授权公告日	2022-09-09
分类号	H01L21/762;H01L27/22
分类	基本电气元件;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311

专利法律状态

2022-09-09

授权

状态信息

授权
2022-08-30

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移；IPC(主分类):H01L21/762；登记生效日:20220818；变更事项:申请人；变更前:中电海康集团有限公司；变更后:中电海康集团有限公司；变更事项:地址；变更前:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室；变更后:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311；变更事项:申请人；变更后:浙江驰拓科技有限公司
2020-06-02

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L 21/762；专利申请号:2018112901613；申请日:20181031
2020-05-08

公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供了一种沟槽填充工艺、半导体器件的制作方法与半导体器件。该填充工艺包括：步骤S1，提供一个具有沟槽的半导体基底；步骤S2，在沟槽中填充第一预介质层，第一预介质层的厚度为h1，沟槽的深度为h，0

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