一种时钟自适应访问MRAM的装置

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专利状态

一种时钟自适应访问MRAM的装置

有效

专利申请进度

申请

2019-01-11

申请公布

2019-06-07

授权

2020-11-06

预估到期

2039-01-11

专利基础信息

申请号	CN201910026910.X	申请日	2019-01-11
申请公布号	CN109859785A	申请公布日	2019-06-07
授权公布号	CN109859785B	授权公告日	2020-11-06
分类号	G11C11/16
分类	信息存储;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室

专利法律状态

2020-11-06

授权

状态信息

授权
2019-07-26

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效
2019-06-07

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种时钟自适应访问MRAM的装置，包括MRAM读写控制单元、时钟分频单元和时钟门控单元，MRAM读写控制单元产生最高时钟分频比，输出到时钟分频单元；根据输入的MRAM读写命令，产生时钟门控使能控制信号，输出到时钟门控单元；将输入的MRAM的读写命令，转换成MRAM的读写控制信号，输出到MRAM；时钟分频单元将外部输入时钟转换为访问MRAM最高频时钟，输出到时钟门控单元；时钟门控单元根据时钟门控使能控制信号，将访问MRAM最高频时钟，转换成MRAM读写时钟，输出到MRAM。本发明在采用MRAM替代SRAM的存储器架构设计中，不需要降低存储器的读写访问速度，也不需要重新设计外部访问存储器的控制逻辑，就可以根据输入时钟产生MRAM读写时钟信号，从而便于采用MRAM来替代SRAM。

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