自旋轨道矩磁性存储器单元及磁性存储器

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专利状态

自旋轨道矩磁性存储器单元及磁性存储器

有效

专利申请进度

申请

2019-03-01

申请公布

2020-09-08

授权

2023-04-18

预估到期

2039-03-01

专利基础信息

申请号	CN201910156435.8	申请日	2019-03-01
申请公布号	CN111640769A	申请公布日	2020-09-08
授权公布号	CN111640769B	授权公告日	2023-04-18
分类号	H10B61/00;H10N50/10
分类	基本电气元件;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室

专利法律状态

2023-04-18

授权

状态信息

授权
2020-09-08

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种自旋轨道矩磁性存储器单元，包括：第一自旋轨道矩提供层、第二自旋轨道矩提供层、第三自旋轨道矩提供层、两个磁性隧道结组、两个双向选通管以及一个晶体管，其中磁性隧道结组包括垂直堆叠的两个磁性隧道结，两个磁性隧道结之间具有隔离层，两个磁性隧道结的参考层靠近隔离层，两个磁性隧道结的自由层分别作为磁性隧道结组的底层和顶层；其中一个磁性隧道结组的底层与第一自旋轨道矩提供层顶面相邻，顶层与第二自旋轨道矩提供层底面相邻，另一个磁性隧道结组的底层与第二自旋轨道矩提供层顶面相邻，顶层与第三自旋轨道矩提供层底面相邻，第二自旋轨道矩提供层两侧的磁性隧道结具有不同的翻转电流阈值。本发明能够提高SOT‑MRAM的存储密度。

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