磁存储单元及SOT-MRAM存储器

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专利状态

磁存储单元及SOT-MRAM存储器

有效

专利申请进度

申请

2018-12-26

申请公布

2020-07-03

授权

2021-12-24

预估到期

2038-12-26

专利基础信息

申请号	CN201811604713.3	申请日	2018-12-26
申请公布号	CN111370573A	申请公布日	2020-07-03
授权公布号	CN111370573B	授权公告日	2021-12-24
分类号	H01L43/08;G11C11/16
分类	基本电气元件;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室

专利法律状态

2021-12-24

授权

状态信息

授权
2020-07-28

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L43/08；申请日:20181226
2020-07-03

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种磁存储单元及SOT‑MRAM存储器，所述磁存储单元包括：自旋轨道矩提供线和两个磁性隧道结，每个所述磁性隧道结包括依次堆叠的自由层、隧道层和参考层，两个所述磁性隧道结位于所述自旋轨道矩提供线的同一侧且各自的自由层靠近所述自旋轨道矩提供线，两个所述磁性隧道结的参考层外侧分别有一层偏置磁场提供层，所述偏置磁场提供层通过分离层与所述磁性隧道结隔开，两个所述偏置磁场提供层具有不同的几何尺寸，同时两个所述偏置磁场提供层的磁化方向相反且分别垂直于各自对应的磁性隧道结的自由层的磁化方向。本发明能够提高SOT‑MRAM存储器的读写速度。

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