存储单元、存储器以及存储器的初始化方法

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专利状态

存储单元、存储器以及存储器的初始化方法

有效

专利申请进度

申请

2019-07-22

申请公布

2021-01-22

授权

2022-09-30

预估到期

2039-07-22

专利基础信息

申请号	CN201910663272.2	申请日	2019-07-22
申请公布号	CN112259139A	申请公布日	2021-01-22
授权公布号	CN112259139B	授权公告日	2022-09-30
分类号	G11C11/16;G11C7/20
分类	信息存储;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室

专利法律状态

2022-09-30

授权

状态信息

授权
2021-02-09

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G11C11/16；申请日:20190722
2021-01-22

公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供了一种存储单元、存储器以及存储器的初始化方法。其中，该存储单元包括：自旋轨道矩提供线，自旋轨道矩提供线的第一端与源线连接，第二端与第一开关的源极连接；两个存储结构，两个存储结构间隔设置在自旋轨道矩提供线的表面上，且每个存储结构均包括阻变层和磁性隧道结，其中，磁性隧道结包括与自旋轨道矩提供线接触设置的自由层，阻变层的第一端与磁性隧道结的参考层连接，阻变层的第二端与第二开关连接；其中，第一开关用于控制自旋轨道矩提供线的连通状态，第二开关用于控制两个存储结构的连通状态。本申请解决了相关技术中MTJ的差分电路相对复杂，导致制造难度大或占用面积大的技术问题。

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