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专利状态
MRAM器件的制造方法
有效
专利申请进度
申请
2019-05-16
申请公布
2020-11-17
授权
2023-04-07
预估到期
2039-05-16
专利基础信息
申请号
CN201910407222.8
申请日
2019-05-16
申请公布号
CN111952440A
申请公布日
2020-11-17
授权公布号
CN111952440B
授权公告日
2023-04-07
分类号
H10N50/10;H10N50/01;H10B61/00
分类
基本电气元件;
申请人名称
中电海康集团有限公司
申请人地址
浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室
专利法律状态
2023-04-07
授权
状态信息
授权
2020-11-17
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供一种MRAM器件的制造方法,包括:在底电极上依次形成MTJ元件层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层;图形化第二硬掩膜层,依次刻蚀第二硬掩膜层及第一硬掩膜层;去除剩余的第二硬掩膜层;沉积一保护层,所述保护层覆盖剩余的第一硬掩膜层的侧壁和表面以及MTJ元件层的表面;对保护层进行刻蚀,只保留覆盖于剩余的第一硬掩膜层的侧壁的保护层;以剩余的第一硬掩膜层及其侧壁的保护层为硬掩膜,刻蚀MTJ元件层,得到MTJ预制件;去除覆盖于剩余的第一硬掩膜层的侧壁的保护层;以剩余的第一硬掩膜层为硬掩膜,刻蚀MTJ预制件,得到与剩余的第一硬掩膜层的侧壁平齐的MTJ元件。本发明能够降低MTJ元件的侧壁损伤,提高MRAM器件的可靠性。
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