基于自旋轨道矩的磁性存储器件及SOT-MRAM存储单元

热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容

热门行业

教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴

返回上一页

专利状态

基于自旋轨道矩的磁性存储器件及SOT-MRAM存储单元

有效

专利申请进度

申请

2019-07-02

申请公布

2021-01-05

授权

2023-04-07

预估到期

2039-07-02

专利基础信息

申请号	CN201910589065.7	申请日	2019-07-02
申请公布号	CN112186098A	申请公布日	2021-01-05
授权公布号	CN112186098B	授权公告日	2023-04-07
分类号	H10N50/10;H10N50/80
分类	基本电气元件;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室

专利法律状态

2023-04-07

授权

状态信息

授权
2021-01-05

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种基于自旋轨道矩的磁性存储器件及SOT‑MRAM存储单元。所述磁性存储器件包括：自旋轨道矩提供线、位于所述自旋轨道矩提供线一侧表面的磁性隧道结以及位于所述自旋轨道矩提供线另一侧表面的介质层，其中，所述磁性隧道结的自由层一侧靠近所述自旋轨道矩提供线，所述自旋轨道矩提供线的水平长度大于所述磁性隧道结的特征长度；所述介质层中设有垂直方向的贯穿所述介质层的导电孔，所述导电孔在水平方向上的位置与所述磁性隧道结的位置相对应，用于提供一个垂直于所述自旋轨道矩提供线的导电路径。本发明能够减小读取过程中的读扰动。

更多专利

全国服务热线：

在线客服

1211389656 咨询

商务合作

85926368 咨询

媒体合作

921888730 咨询

在线客服
客服微信号

品牌网官方客服微信

打开微信扫一扫

客服微信
商务合作微信

商务合作详谈

打开微信扫一扫

商务合作
回到顶部

在线客服

商务合作

媒体合作

客服微信号

商务合作微信