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专利状态

磁性存储器阵列

有效

专利申请进度

申请

2018-12-26

申请公布

2020-07-03

授权

2023-01-31

预估到期

2038-12-26

专利基础信息

申请号	CN201811602827.4	申请日	2018-12-26
申请公布号	CN111370438A	申请公布日	2020-07-03
授权公布号	CN111370438B	授权公告日	2023-01-31
分类号	H10B61/00
分类	基本电气元件;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室

专利法律状态

2023-01-31

授权

状态信息

授权
2020-07-03

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种磁性存储器阵列，包括：按矩形阵列形式排布的多个磁存储单元，每个所述磁存储单元包括磁性隧道结和磁性电极，其中，所述磁性电极为具有长轴和短轴的几何结构，所述磁性电极在膜平面内磁化，磁化方向沿长轴方向，所述磁性电极用于提供一个辅助所述磁性隧道结自由层翻转的磁矩，所述磁性电极的几何尺寸大于所述磁性隧道结的几何尺寸，所述磁性存储器阵列中水平和垂直方向相邻的两个磁存储单元的磁性电极的长轴方向不共线。本发明能够提高磁性存储器阵列的密度。

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