MRAM与其的制作方法_专利查询-品牌网

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专利状态

MRAM与其的制作方法

有效

专利申请进度

申请

2017-06-30

申请公布

2019-01-15

授权

2022-05-17

预估到期

2037-06-30

专利基础信息

申请号	CN201710527657.7	申请日	2017-06-30
申请公布号	CN109216541A	申请公布日	2019-01-15
授权公布号	CN109216541B	授权公告日	2022-05-17
分类号	H01L43/12;H01L27/22
分类	基本电气元件;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311

专利法律状态

2022-05-17

授权

状态信息

授权
2022-05-06

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移；IPC(主分类):H01L43/12；登记生效日:20220422；变更事项:申请人；变更前:中电海康集团有限公司；变更后:中电海康集团有限公司；变更事项:地址；变更前:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室；变更后:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311；变更事项:申请人；变更后:浙江驰拓科技有限公司
2019-02-12

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L43/12；申请日:20170630
2019-01-15

公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供了一种MRAM与其的制作方法。该制作方法包括：在衬底的表面上间隔设置多个包括MTJ单元的预存储结构，第一表面为MTJ单元的与衬底的距离最大的部分表面；在预存储结构的远离衬底的表面上依次叠置设置的第一阻挡层、第一介质层、第二阻挡层与第二介质层，第二阻挡层的靠近第二介质层的表面与衬底的最小距离为H1，第一阻挡层的靠近第一介质层的表面与衬底的最大距离为H2，且H1≤H2；去除介质单元的位于第一表面所在平面之上的部分，其中采用化学机械抛光法去除位于第二表面所在平面之上的至少部分介质单元。该方法提高了化学机械抛光制程中抛光终点的控制能力，显著提高整片晶圆的均一性并减小对逻辑部分造成的不利影响。

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