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专利状态

集成电路及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2017-05-09

申请公布

2018-11-23

授权

2021-10-01

预估到期

2037-05-09

专利基础信息

申请号	CN201710323449.5	申请日	2017-05-09
申请公布号	CN108878471A	申请公布日	2018-11-23
授权公布号	CN108878471B	授权公告日	2021-10-01
分类号	H01L27/22;H01L23/528;H01L21/768
分类	基本电气元件;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311

专利法律状态

2021-10-01

授权

状态信息

授权
2021-09-21

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移；IPC(主分类):H01L27/22；登记生效日:20210909；变更事项:申请人；变更前:中电海康集团有限公司；变更后:中电海康集团有限公司；变更事项:地址；变更前:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室；变更后:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311；变更事项:申请人；变更后:浙江驰拓科技有限公司
2018-12-18

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/22；申请日:20170509
2018-11-23

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种集成电路及其制备方法。该集成电路包括顺序层叠设置的半导体衬底、逻辑器件、下金属互连层、中间介质层和上金属互连层，中间介质层中设置有MRAM和第一导体，下金属互连层和上金属互连层通过第一导体电连接，MRAM包括依次叠置在中间介质层中的第二导体、下电极、存储单元、上电极和第三导体，且下电极通过第二导体与下金属互连层电连接，第三导体和上金属互连层电连接。由于上述MRAM中的下电极通过第二导体与下金属互连层连接，不仅能够减小孔的电阻，还能够对下电极进行不同材料和工艺上的选择进行调整，从而使MRAM能够具有优异的存储性能，进而使集成有MRAM与逻辑器件的集成电路能够具有优异的性能。

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