MTJ器件的制作方法_专利查询-品牌网

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专利状态

MTJ器件的制作方法

有效

专利申请进度

申请

2016-11-29

申请公布

2018-06-05

授权

2021-08-27

预估到期

2036-11-29

专利基础信息

申请号	CN201611075608.6	申请日	2016-11-29
申请公布号	CN108123029A	申请公布日	2018-06-05
授权公布号	CN108123029B	授权公告日	2021-08-27
分类号	H01L43/12;H01L43/08
分类	基本电气元件;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311

专利法律状态

2021-08-27

授权

状态信息

授权
2021-08-13

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移；IPC(主分类):H01L 43/12；专利申请号:2016110756086；登记生效日:20210730；变更事项:申请人；变更前权利人:中电海康集团有限公司；变更后权利人:中电海康集团有限公司；变更事项:地址；变更前权利人:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室；变更后权利人:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311；变更事项:申请人；变更前权利人:；变更后权利人:浙江驰拓科技有限公司
2018-06-29

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L 43/12；专利申请号:2016110756086；申请日:20161129
2018-06-05

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供了一种MTJ器件的制作方法。该制作方法包括：步骤S1，在衬底表面上设置功能膜，形成预成品，功能膜包括MTJ膜；步骤S2，在功能膜的远离衬底的表面上设置离子注入掩膜材料，并对离子注入掩膜材料进行图形化处理得到离子注入掩膜；步骤S3，对设置有离子注入掩膜的预成品依次进行氧离子注入与退火，在离子注入掩膜之外的区域形成氧离子注入膜；步骤S4，去除氧离子注入膜，形成凹陷；步骤S5，在凹陷内设置介电材料，且使介电材料和离子注入掩膜的远离衬底的表面在同一平面，其中，介电材料的介电常数在1.4～7.0之间。该制作方法制作得到的MTJ器件的介电常数较小，使得MRAM芯片的运算速度较快。

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