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专利状态
双向功率器件及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2019-04-03
申请公布
2019-08-13
授权
2024-02-23
预估到期
2039-04-03
专利基础信息
申请号 CN201910268167.9 申请日 2019-04-03
申请公布号 CN110120416A 申请公布日 2019-08-13
授权公布号 CN110120416B 授权公告日 2024-02-23
分类号 H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/331;H01L21/336
分类 基本电气元件;
申请人名称 杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址 浙江省杭州市黄姑山路4号
专利法律状态
  • 2024-02-23
    授权
    状态信息
    授权
  • 2019-09-06
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L29/06;申请日:20190403
  • 2019-08-13
    公布
    状态信息
    公布
摘要
公开了一种双向功率器件及其制造方法,双向功率器件包括:半导体层;位于半导体层中的沟槽;位于沟槽侧壁上的栅介质层;位于沟槽内的控制栅,控制栅从半导体层的第一表面延伸至沟槽下部;其中,控制栅与半导体层之间由栅介质层隔开。本申请中沟槽内的控制栅从半导体层的第一表面延伸至沟槽下部,源区和漏区从半导体层的第一表面延伸至于沟槽下部的控制栅交叠。源区和漏区延伸的长度较长,使得源区和漏区在双向功率器件截止时可以承担纵向方向上源区和漏区上施加的高压,提高双向功率器件的耐压特性。