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专利状态

双向功率器件

有效

专利申请进度

申请

2020-10-27

授权

2021-09-03

预估到期

2030-10-27

专利基础信息

申请号	CN202022419877.8	申请日	2020-10-27
授权公布号	CN214123883U	授权公告日	2021-09-03
分类号	H01L29/06;H01L27/02;H01L21/8232
分类	基本电气元件;
申请人名称	杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市黄姑山路4号

专利法律状态

2021-09-03

授权

状态信息

授权

摘要

本申请公开了一种双向功率器件，包括：半导体层；第一掺杂区，位于半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；栅介质层，覆盖第一沟槽区的多个沟槽的下部侧壁；控制栅，位于第一沟槽区的多个沟槽的下部并与栅介质层接触；屏蔽介质层，覆盖第一沟槽区的多个沟槽的上部侧壁并位于控制栅的表面；以及第一屏蔽栅，位于第一沟槽区的多个沟槽中并与屏蔽介质层接触，其中，屏蔽介质层将控制栅和第一屏蔽栅分隔，第一沟槽区的沟槽的上部侧壁的屏蔽介质层的厚度不一致，从而可以通过栅电极施加不同电压达到形成不同电场的效果。

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