一种半导体芯片的制备方法

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专利状态

一种半导体芯片的制备方法

有效

专利申请进度

申请

2010-08-20

申请公布

2011-02-09

授权

2012-01-18

预估到期

2030-08-20

专利基础信息

申请号	CN201010260254.9	申请日	2010-08-20
申请公布号	CN101969054A	申请公布日	2011-02-09
授权公布号	CN101969054B	授权公告日	2012-01-18
分类号	H01L23/488;H01L21/60
分类	基本电气元件;
申请人名称	常州银河电器有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区河海西路168号

专利法律状态

2012-01-18

授权

状态信息

授权
2011-03-23

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/488申请日:20100820
2011-02-09

公布

状态信息

公开

摘要

本发明所公开的是一种半导体芯片的制备方法，所述半导体芯片包括正反面均具有图纹的硅片，在所述硅片的正、反两面均涂覆有焊膏层；其制备方法以经双面光刻的半导体圆片为加工对象，包括划片步骤，在划片步骤之前，还包括双面涂覆焊膏层步骤。本发明具有抗氧化、可靠性高和后续加工工艺简便等特点。

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