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专利状态

双面SiP三维封装结构

有效

专利申请进度

申请

2017-09-25

申请公布

2018-03-06

授权

2019-11-01

预估到期

2037-09-25

专利基础信息

申请号	CN201710875230.6	申请日	2017-09-25
申请公布号	CN107768349A	申请公布日	2018-03-06
授权公布号	CN107768349B	授权公告日	2019-11-01
分类号	H01L23/538;H01L23/48;H01L23/552
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏长电科技股份有限公司
申请人地址	江苏省无锡市江阴市澄江镇长山路78号

专利法律状态

2019-11-01

授权

状态信息

授权
2018-03-30

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/538
2018-03-06

公布

状态信息

公开

摘要

本发明涉及一种双面SiP三维封装结构，它包括核心转接板（1），所述核心转接板（1）正面贴装有扇出型晶圆级封装结构（2）、第一被动元件（3）和第一3D导电部件（4），所述核心转接板（1）背面贴装有芯片（7）、第二被动元件（8）和第二3D导电部件（6），所述第二3D导电部件（6）背面设置有第一焊球（10），所述封装结构顶面和侧面设置有屏蔽层（15），所述第一3D导电部件（4）正面处的屏蔽层（15）设置有开口（16）。本发明能够使用预制的3D导电部件成为堆叠封装的支撑结构，将3D导电部件作为电磁屏蔽的接地端，可以降低封装模组的尺寸高度，提高封装模组的高频性能，有效的防止电磁干扰。

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