一种硅料熔化度监测方法、存储介质、终端和拉晶设备

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专利状态

一种硅料熔化度监测方法、存储介质、终端和拉晶设备

有效

专利申请进度

申请

2022-01-12

申请公布

2022-04-22

授权

2022-11-25

预估到期

2042-01-12

专利基础信息

申请号	CN202210032066.3	申请日	2022-01-12
申请公布号	CN114387248A	申请公布日	2022-04-22
授权公布号	CN114387248B	授权公告日	2022-11-25
分类号	G06T7/00;G06T7/62
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	苏州天准科技股份有限公司
申请人地址	江苏省苏州市高新区科技城浔阳江路70号

专利法律状态

2022-11-25

授权

状态信息

授权
2022-04-22

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种硅料熔化度监测方法、存储介质、终端和拉晶设备，属于半导体领域，方法基于图像差分，获取未熔硅料区域面积A1和当前帧图像亮视野面积A2，二者比值与阈值判定硅料熔化状态；拉晶设备包括炉体、旋转坩埚、拉晶单元、状态监测单元、加料器和控制器；通过本发明可以在不同温度、亮度视野情况下获得良好的差分图像，阈值设定灵活，熔化状态判定准确，便于在半导体制造领域推广应用。

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