一种基于复合牺牲层的红外探测器制作方法

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专利状态

一种基于复合牺牲层的红外探测器制作方法

有效

专利申请进度

申请

2011-03-18

申请公布

2012-09-19

授权

2014-11-05

预估到期

2031-03-18

专利基础信息

申请号	CN201110065880.7	申请日	2011-03-18
申请公布号	CN102683474A	申请公布日	2012-09-19
授权公布号	CN102683474B	授权公告日	2014-11-05
分类号	H01L31/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	浙江大立科技股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市杭州国家高新技术产业开发区滨康路639号（高新区）

专利法律状态

2014-11-05

授权

状态信息

授权
2012-11-14

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/18申请日:20110318
2012-09-19

公布

状态信息

公开

摘要

本发明公开了一种复合牺牲层制作红外探测器的方法，在CMOS硅衬底上依次完成金属层、第一层牺牲层聚酰亚胺、第二层牺牲层非晶硅、通过对牺牲层图形化形成的通孔；层叠制作结构层、通过图形化形成的接触孔；制作敏感层、金属电极层、释放保护层，以及对敏感层图形化、电极层图形化、和微桥结构图形化。在牺牲层释放时，首先释放第二层牺牲层，再释放第一层牺牲层。本发明提供的红外探测器制作方法，与现有技术相比，有效地利用两种不同牺牲层的优点，既可以利用有机牺牲层对CMOS表面进行平坦化、提高与金属间的粘附性，又利用无机牺牲层控制聚酰亚胺的挥发性，与CMOS工艺更加兼容。

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