一种基于临时释放保护层的红外探测器制作方法

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专利状态

一种基于临时释放保护层的红外探测器制作方法

有效

专利申请进度

申请

2011-03-18

申请公布

2012-09-19

授权

2015-05-27

预估到期

2031-03-18

专利基础信息

申请号	CN201110066271.3	申请日	2011-03-18
申请公布号	CN102683475A	申请公布日	2012-09-19
授权公布号	CN102683475B	授权公告日	2015-05-27
分类号	H01L31/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	浙江大立科技股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市杭州国家高新技术产业开发区滨康路639号（高新区）

专利法律状态

2015-05-27

授权

状态信息

授权
2012-11-14

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/18申请日:20110318
2012-09-19

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种基于临时释放保护层的微电子机械系统表面微加工方法，特别涉及了所述方法用于非制冷红外探测器制作的方法。包括：在CMOS硅衬底上依次完成金属层、非晶硅牺牲层、第一层临时释放保护层聚酰亚胺；层叠制作敏感层、金属电极层，以及对敏感层图形化、电极层图形化、和微桥结构图形化，最后制作第二层临时释放保护层。在牺牲层释放时，首先采用XeF2对非晶硅牺牲层释放，释放完全后在利用O2等离子体去除临时释放保护层。本发明提供的红外探测器制作方法，与现有技术相比，采用的临时释放保护层在制作后期将被完全去除，不对微桥的性能产生任何影响，有利于降低工艺难度、提高探测器的性能。

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