硅片衰减测试所用常温暴晒装置

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专利状态

硅片衰减测试所用常温暴晒装置

有效

专利申请进度

申请

2017-05-18

授权

2017-12-05

预估到期

2027-05-18

专利基础信息

申请号	CN201720559600.0	申请日	2017-05-18
授权公布号	CN206710550U	授权公告日	2017-12-05
分类号	G01R31/26
分类	测量；测试;
申请人名称	常州亿晶光电科技有限公司
申请人地址	江苏省常州市金坛区尧塘镇金武路18号

专利法律状态

2017-12-05

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种硅片衰减测试所用常温暴晒装置，包括放置硅片的暴晒台，位于硅片上方设有水平排列的若干根石英玻璃管，所述的石英玻璃管内穿设有红外加热管，石英玻璃管一端密封连接有通入压缩二氧化碳气体的通气管，石英玻璃管另一端设有热风箱，石英玻璃管与热风箱密封连接，石英玻璃管内由红外加热管加热产生的热量随压缩二氧化碳气体排入热风箱内排出，位于石英玻璃管上方安装有吸收排出石英玻璃管所散发热量的热排风罩。本实用新型将红外加热管加热产生的红外光部分控制在石英玻璃管内，并通过压缩的二氧化碳气体流动吸收并排入热风箱，已将暴晒温度控制在常温状态下，从而更好地模拟硅片在自然情况下的衰减状态。

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