刻蚀硅片水膜去水装置_专利查询-品牌网

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专利状态

刻蚀硅片水膜去水装置

有效

专利申请进度

申请

2016-12-15

申请公布

2017-02-22

授权

2023-05-26

预估到期

2036-12-15

专利基础信息

申请号	CN201611157688.X	申请日	2016-12-15
申请公布号	CN106449492A	申请公布日	2017-02-22
授权公布号	CN106449492B	授权公告日	2023-05-26
分类号	H01L21/67;H01L21/306
分类	基本电气元件;
申请人名称	常州亿晶光电科技有限公司
申请人地址	江苏省常州市金坛市尧塘镇金武路18号

专利法律状态

2023-05-26

授权

状态信息

授权
2017-02-22

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种刻蚀硅片水膜去水装置，包括水槽，所述水槽内转动设有若干用于输送硅片的输送辊，所述水槽外设有用于驱动输送辊转动的第一电机，所述水槽上转动设置有去水辊，所述去水辊位于所述输送辊上方且一一对应，所述去水辊外周面开设有若干第一环形槽，所述水槽外设有用于驱动去水辊转动的第二电机，所述输送辊与所述去水辊旋转方向相反，所述水槽上设有集水盒，所述集水盒上设有开口朝上的集水腔，本发明操作简单方便，能够有效去除硅片水膜多余的水，防止了硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小，为了达到要求的浓度，要不断的增加供酸量，无形中增加了生产成本的问题。

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