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专利状态
管式PECVD进气排布结构
有效
专利申请进度
申请
2018-06-15
授权
2019-01-08
预估到期
2028-06-15
专利基础信息
申请号 CN201820941123.9 申请日 2018-06-15
授权公布号 CN208346253U 授权公告日 2019-01-08
分类号 C23C16/455;C23C16/513
分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
申请人名称 常州亿晶光电科技有限公司
申请人地址 江苏省常州市金坛市尧塘镇金武路18号
专利法律状态
  • 2019-01-08
    授权
    状态信息
    授权
摘要
本实用新型涉及太阳能电池硅片加工设备技术领域,尤其涉及管式PECVD进气排布结构,将原先的单一炉内底部进气口改变为炉口处上部和两侧等距离排布3个进气口,工艺时同时进气样式,这样的排布方式第一可以保证在炉口端进气的均匀性,在抽气泵不断将气体往炉尾抽时,整体管内气体均匀一致,第二可以避开将进气口安置在炉口底部,不会存在炉管碎片遮挡进气口以及进气口被刮碰的情况。