一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构

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专利状态

一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构

有效

专利申请进度

申请

2016-07-25

申请公布

2016-12-07

授权

2019-12-03

预估到期

2036-07-25

专利基础信息

申请号	CN201610595159.1	申请日	2016-07-25
申请公布号	CN106205668A	申请公布日	2016-12-07
授权公布号	CN106205668B	授权公告日	2019-12-03
分类号	G11C11/16
分类	信息存储;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311

专利法律状态

2020-02-28

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):G11C11/16；登记生效日:20200211；变更事项:专利权人；变更前:中电海康集团有限公司；变更后:中电海康集团有限公司；变更事项:地址；变更前:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室；变更后:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311；变更事项:共同专利权人；变更后:浙江驰拓科技有限公司
2019-12-03

授权

状态信息

授权
2017-11-10

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):G11C11/16；变更事项:申请人；变更前:中电海康集团有限公司；变更后:中电海康集团有限公司；变更事项:地址；变更前:310012 浙江省杭州市马塍路36号；变更后:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室
2017-09-15

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G11C11/16；申请日:20160725
2016-12-07

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构，包括磁性隧道结，以及源线、位线和字线、第一开关管、第二开关管、控制单元和电容；其中，所述磁性隧道结的自由层与第一开关管的漏极相连，所述磁性隧道结的参考层与第二开关管的源极相连；所述第一开关管的源极接源线，所述第二开关管的漏极接位线；所述电容的一端接地，另一端连接到控制单元的输入端，并连接第一开关管的漏极或磁性隧道结的自由层；所述控制单元的输入端分别连接字线、源线或位线、以及第一开关管的漏极或磁性隧道结的自由层，控制单元输出端接第一开关管和第二开关管的栅极。本发明能够避免重复的写入动作，达到降低MRAM写功耗和芯片动态功耗的目的。

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