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专利状态
存储器与其读写方法
有效
专利申请进度
申请
2019-08-08
申请公布
2021-02-09
授权
2023-01-31
预估到期
2039-08-08
专利基础信息
申请号 CN201910731330.0 申请日 2019-08-08
申请公布号 CN112349311A 申请公布日 2021-02-09
授权公布号 CN112349311B 授权公告日 2023-01-31
分类号 G11C5/02;G11C7/10;G11C7/12;G11C8/08
分类 信息存储;
申请人名称 中电海康集团有限公司
申请人地址 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室
专利法律状态
  • 2023-01-31
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-02-09
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本申请提供了一种存储器与其读写方法。该存储器包括多个沿着第一方向排列的存储层,各存储层包括:存储阵列,包括多个阵列方式排列的存储单元和多个间隔设置的位线;开关单元,包括多个开关、多个间隔的字线以及至少一个源极线。这种排列方式使得相邻的存储层的位线和源极线相互之间独立,可以单独加电压,当其中的一层被选中时,其相邻的存储层的位线和源极线之间没有压差,所以不存在漏电现象,使得该存储器的漏电较小。该存储器由于不同的存储层不共用位线和源极线,因此,可以实现随机读写操作,提高存储器的性能。