MRAM器件的制备方法_专利查询-品牌网

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专利状态

MRAM器件的制备方法

有效

专利申请进度

申请

2019-03-12

申请公布

2020-09-22

授权

2023-04-07

预估到期

2039-03-12

专利基础信息

申请号	CN201910184568.6	申请日	2019-03-12
申请公布号	CN111697128A	申请公布日	2020-09-22
授权公布号	CN111697128B	授权公告日	2023-04-07
分类号	H10N35/00;H10N35/01;H10B61/00
分类	基本电气元件;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室

专利法律状态

2023-04-07

授权

状态信息

授权
2020-09-22

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种MRAM器件的制备方法，包括：提供基底，在所述基底上依次沉积底电极金属层、磁性隧道结的多层膜以及金属薄膜保护层；在所述金属薄膜保护层上第一次沉积介电层；进行第一次光刻和刻蚀，在所述基底上形成具有间隔的多个预存储结构；第二次沉积介电层；进行第二次光刻和刻蚀，在所述基底上形成多个存储单元结构，且在相邻两个存储单元结构之间保留有与所述存储单元结构等高的介电层；沉积抛光阻挡层；第三次沉积介电层；进行化学机械抛光，直至暴露出所述金属薄膜保护层上方以及相邻两个存储单元结构之间的介电层上方的所有抛光阻挡层。本发明能够提高CMP制程中抛光终点的控制精度。

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