SOT-MRAM存储单元及SOT-MRAM存储器

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专利状态

SOT-MRAM存储单元及SOT-MRAM存储器

有效

专利申请进度

申请

2019-03-25

申请公布

2020-10-02

授权

2022-05-31

预估到期

2039-03-25

专利基础信息

申请号	CN201910228164.2	申请日	2019-03-25
申请公布号	CN111739570A	申请公布日	2020-10-02
授权公布号	CN111739570B	授权公告日	2022-05-31
分类号	G11C14/00
分类	信息存储;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室

专利法律状态

2022-05-31

授权

状态信息

授权
2020-10-02

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种SOT‑MRAM存储单元，包括：用于提供自旋轨道矩的重金属线、两个MTJ及其各自连接的二极管、双向选通器以及一个晶体管，所述重金属线的两端各自连接至一条位线，两个所述MTJ均位于所述重金属线的上表面，所述MTJ的自由层靠近所述重金属线而固定层远离所述重金属线，两个所述MTJ通过各自连接的二极管连接至所述晶体管的漏极，两个所述二极管的连接方向相反；所述双向选通器的一端与所述重金属线连接，连接点位于所述重金属线的两个所述MTJ之间的位置，所述双向选通器的另一端与所述晶体管的漏极连接；所述晶体管的栅极与字线连接，所述晶体管的源极与源线连接。本发明能够减小存储单元的面积，提高存储密度。

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