一种三端式磁性随机存储器及其读写方法

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专利状态

一种三端式磁性随机存储器及其读写方法

有效

专利申请进度

申请

2016-08-25

申请公布

2018-03-09

授权

2021-10-29

预估到期

2036-08-25

专利基础信息

申请号	CN201610733651.0	申请日	2016-08-25
申请公布号	CN107785481A	申请公布日	2018-03-09
授权公布号	CN107785481B	授权公告日	2021-10-29
分类号	H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12;G11C11/15
分类	基本电气元件;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311

专利法律状态

2021-10-29

授权

状态信息

授权
2021-10-15

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移；IPC(主分类):H01L43/02；登记生效日:20210929；变更事项:申请人；变更前:中电海康集团有限公司；变更后:中电海康集团有限公司；变更事项:地址；变更前:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室；变更后:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311；变更事项:申请人；变更后:浙江驰拓科技有限公司
2018-06-26

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L 43/02；专利申请号:2016107336510；申请日:20160825
2018-03-09

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种三端式磁性随机存储器及其读写方法，属于半导体存储技术领域，在应力和电场辅助的STT‑MRAM的自由层上，与辅助层接触的一面引出有第三端，在底、顶电极之间施加电场让自旋转移扭矩磁电阻随机存储器实现写入/擦除功能，在底或顶电极和第三端之间施加电场读存储状态阻值。本发明提出的三端式STT‑MRAM在读MTJ电阻状态时不经过辅助层，从而提高了MTJ存储单元的高低阻态的信号分辨能力，具有很大的应用前景。

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