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专利状态
发光二极管及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2019-12-31
申请公布
2021-07-16
授权
2022-08-09
预估到期
2039-12-31
专利基础信息
申请号
CN201911417228.X
申请日
2019-12-31
申请公布号
CN113130834A
申请公布日
2021-07-16
授权公布号
CN113130834B
授权公告日
2022-08-09
分类号
H01L51/56;H01L51/54;H01L51/50
分类
基本电气元件;
申请人名称
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
2022-08-09
授权
状态信息
授权
2021-07-16
公布
状态信息
公布
摘要
本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。本发明提供的制备方法,包括:将氧化铟锌前驱体沉积在基质上,形成氧化铟锌前驱体薄膜;采用红外激光照射氧化铟锌前驱体薄膜,进行退火处理,形成氧化铟锌薄膜;采用紫外激光照射氧化铟锌薄膜,进行后退火处理。解决了现有电子传输层的退火工艺容易造成对器件内部损伤的问题。
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